近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家示范性微電子學(xué)院龍世兵教授課題組兩篇關(guān)于氧化鎵器件的研究論文（高功率氧化鎵肖特基二極管和氧化鎵光電探測器）成功被IEDM大會接收，這也是中國科大首次以第一作者單位在IEEEIEDM上發(fā)表論文。

物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的快速發(fā)展推動了消費者對自供電氣體傳感器的需求不斷增長，這些傳感器用于環(huán)境監(jiān)控、工作場所安全、智能城市和個人醫(yī)療保健等行業(yè)的實時數(shù)據(jù)收集和自主響應(yīng)。盡管在該領(lǐng)域進行了大量研究并取得了快速進展，但大多數(shù)報道的自供電裝置，特別是用于空氣污染監(jiān)測的NO2傳感器，具有有限的靈敏度、選擇性和可擴展性。

近日，天津大學(xué)精密測試技術(shù)及儀器國家重點實驗室MEMS課題組的研究人員在IEEESensorsJournal期刊上發(fā)表了題為“MEMSultrasonicfingertipheartratesensor”的論文。研究團隊提出了基于壓電式MEMS超聲換能器（PMUT）芯片的心率監(jiān)測方案，詳細介紹了PMUT芯片設(shè)計、制造、表征與心率測試結(jié)果。PMUT芯片具有的小尺寸、高集成度和兼容不透光封裝材料的眾多...

傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計算能力。其密度的提高主要通過縮小單元晶體管的尺寸來實現(xiàn)。例如7nm節(jié)點以下業(yè)界使用極紫外光刻技術(shù)實現(xiàn)高精度尺寸微縮。由于極紫外光刻設(shè)備復(fù)雜且對我國形成了高度的技術(shù)壟斷與封鎖，在現(xiàn)有技術(shù)節(jié)點下能夠大幅提升集成密度的三維疊層互補晶體管(CFET)技術(shù)對我國重要意義凸顯。美國Intel公司和歐洲微電子研究中心(IMEC)對于...

二維過渡金屬二氯化物（TMDs）以其獨特的性能作為傳感材料，對開發(fā)具有卓越性能的傳感器具有極大的興趣。最近TMD已經(jīng)在一些研究中得到了關(guān)注，并有可能在核能領(lǐng)域和空間應(yīng)用中得到應(yīng)用,因為它們本身體積小、重量輕、功率要求低，而且具有明顯的電/化學(xué)特性。但此類領(lǐng)域的傳感器或電子設(shè)備所面臨的挑戰(zhàn)之一是在電離輻射下的堅固性和可靠的操作。如高能質(zhì)子、電子、α粒子、X射線和γ射線（伽瑪射線）。

微機電系統(tǒng)(MEMS)的尺寸、重量和功率不斷縮小，可以替代商用的現(xiàn)成的傳感器和系統(tǒng)，這使它們在各種重要的應(yīng)用中具有吸引力，包括通信、生物醫(yī)學(xué)、汽車、軍事和航空航天環(huán)境。傳統(tǒng)的硅（Si）MEMS傳感器不適合在惡劣的環(huán)境中應(yīng)用，因為硅電子器件在≈350℃時就會失效，硅的機械性能在500℃以上就會退化。然而，從工業(yè)到太空等不同領(lǐng)域都非常需要能夠在惡劣環(huán)境中工作的傳感器，有時甚至需要在極端溫度、高輻射和/...