在寬帶蜂窩網(wǎng)絡(luò)（5G）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、萬物互聯(lián)（IoE）、智能設(shè)備、數(shù)據(jù)到云和自動駕駛汽車等第五代技術(shù)標準的推動下，不斷擴大的數(shù)字化正在迅速改變電子行業(yè)的面貌。異構(gòu)集成變得至關(guān)重要，以較低的成本提供更高的性能和改進的功能。然而，器件尺寸的縮小不可避免地導(dǎo)致了電流密度的進一步增加，而這種電流密度必須由縮小的金屬互連來承載。隨著電流密度的增加，電遷移（EM）一直是互連的可靠性問題之一，如芯片級的金屬線、再分布線（RDL）和封裝級的微凸點/支柱。
    EM本質(zhì)上是一個增強的質(zhì)量傳輸過程，由于導(dǎo)電電子和擴散的金屬原子之間的動量轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致空隙的形成和/或小丘的堆積，導(dǎo)致電子設(shè)備中的開路或短路。布萊克進行的早期研究表明，由于EM引起的故障時間與電流密度的平方成反比。雖然EM主要是由高電流密度引起的，但它不是唯一的驅(qū)動力在起作用。其他力量的綜合平衡，如機械應(yīng)力遷移、原子自我擴散和熱遷移，決定了原子的擴散運動。

      最近復(fù)旦大學(xué)碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心樊嘉杰研究院團隊和代爾夫特理工大學(xué)研究團隊合作利用韓國NEXTRON公司微探針系統(tǒng)MPS-CHL（RT-450°C）搭建了精密的電遷移測量平臺，對電遷移的相關(guān)理論特性進行了系統(tǒng)性的實驗驗證并取得重要成果。